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Si6926ADQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.05
1200
0.04
1000
C iss
V GS = 2.5 V
V GS = 3.0 V
800
0.03
600
0.02
V GS = 4.5 V
400
0.01
0.00
200
0
C rss
C oss
0.0
4.0
8.0
12.0
16.0
20.0
0
4
8
12
16
20
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
V DS = 10 V
I D = 4.5 A
1.4
V GS = 4.5 V
I D = 4.5 A
4
1.2
3
1.0
2
0.8
1
0
0.6
0
2
4
6
8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
20
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
0.08
0.07
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
10
T J = 150 °C
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
I D = 4.5 A
1
T J = 25 °C
0.01
0.00
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72754
S-81056-Rev. B, 12-May-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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